IT之家 11 月 19 日消息，为提升盈利能力，三星电子正对存储业务实施新战略：在 DRAM 价格持续上涨的背景下，优先扩大通用型 DRAM 产能，同时暂缓高带宽存储器（HBM）相关投入。未来数年，公司可能会扩大通用型 DRAM 的生产，以提高盈利能力。
当前，DDR5、LPDDR5X 及 GDDR7 等 DRAM 产品价格持续攀升。据市场消息，三星 32GB DDR5 内存模组的合约价已从 9 月的 149 美元大幅上涨 60%，至 11 月的 239 美元。面对这一有利行情，三星判断，加码高需求、高毛利的通用 DRAM 是短期内提升整体盈利水平的有效路径。
据韩国媒体 DealSite 报道，三星计划扩大其第五代（1b 节点，10 纳米级）DRAM 的量产规模，包括将部分老旧制程产线（如 1z 节点）转用于先进 DRAM 生产，并考虑将部分原用于 NAND 闪存的产能调配至 DRAM 领域，以最大化利用现有资源。
与此同时，由于订单疲软，三星的高带宽存储器（HBM）业务仍处于亏损状态。尽管该公司希望凭借 HBM4 在这一领域站稳脚跟，但当前 HBM4 良率表现不尽理想，对其商业化盈利前景构成制约。此外，三星与核心客户英伟达（NVIDIA）就 HBM4 的供货协议尚未最终敲定，进一步延缓了该产品的规模化落地进程。因此，三星在维持明年 HBM 生产目标的同时，正在扩大 DRAM 的产量。
一位三星高管明确表示：“明年我们的首要任务是不惜一切代价实现盈利最大化。我们在技术层面仍落后于 SK 海力士，目前尚不具备凭借 HBM 快速实现反超的竞争力。”
据IT之家了解，作为新战略的一部分，三星存储部门的领导层变动也在进行中。Han Jin-man 被视为存储业务部门的下一任负责人人选。2020 年，Han Jin-man 曾担任存储业务部门战略营销办公室副总裁。他以出色的价格谈判技巧著称，有望助力公司在蓬勃发展的 DRAM 市场实现利润最大化。
